KX10N60F Todos los transistores

 

KX10N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX10N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm

Encapsulados: TO220F

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KX10N60F datasheet

 ..1. Size:1596K  kexin
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KX10N60F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX10N60F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 600V ID = 10 A (VGS = 10V) 0.20 2.76 RDS(ON) 730m (VGS = 10V) 1 2 3 Qg(typ.)= 29.5nC 1.47max 0.20 0.50 D 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

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History: IRF9243

 

 

 

 

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