KX10N60F Todos los transistores

 

KX10N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX10N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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KX10N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1596K  kexin
 kx10n60f.pdf pdf_icon

KX10N60F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX10N60FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 10 A (VGS = 10V)0.202.76 RDS(ON) 730m (VGS = 10V)1 2 3 Qg(typ.)= 29.5nC1.47max0.200.50D0.200.802.54typ2.54typGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

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History: FDMC612PZ | JFPC20N50C | IRF7815 | KI1N60DS | IRF300P226 | IRLML5103PBF | KIA20N50H-247

 

 
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