KX10N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX10N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 46 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 26 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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KX10N60F Datasheet (PDF)

..1. Size:1596K kexin
kx10n60f.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX10N60FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 10 A (VGS = 10V)0.202.76 RDS(ON) 730m (VGS = 10V)1 2 3 Qg(typ.)= 29.5nC1.47max0.200.50D0.200.802.54typ2.54typGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

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Liste

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