KX10N60F - аналоги и даташиты транзистора

 

KX10N60F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KX10N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для KX10N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX10N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1596K  kexin
 kx10n60f.pdf pdf_icon

KX10N60F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX10N60FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 10 A (VGS = 10V)0.202.76 RDS(ON) 730m (VGS = 10V)1 2 3 Qg(typ.)= 29.5nC1.47max0.200.50D0.200.802.54typ2.54typGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

Другие MOSFET... KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , P60NF06 , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F .

History: SI9433DY | 2SK3354S

 

 
Back to Top

 


 
.