KX10N60F - описание и поиск аналогов

 

KX10N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX10N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для KX10N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX10N60F даташит

 ..1. Size:1596K  kexin
 kx10n60f.pdf pdf_icon

KX10N60F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX10N60F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 600V ID = 10 A (VGS = 10V) 0.20 2.76 RDS(ON) 730m (VGS = 10V) 1 2 3 Qg(typ.)= 29.5nC 1.47max 0.20 0.50 D 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

Другие MOSFET... KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , AO3400A , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F .

History: 2SK591 | AOC2403

 

 

 

 

↑ Back to Top
.