Справочник MOSFET. KX10N60F

 

KX10N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KX10N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
   Время нарастания (tr): 35 ns
   Выходная емкость (Cd): 140 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.73 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для KX10N60F

 

 

KX10N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1596K  kexin
kx10n60f.pdf

KX10N60F KX10N60F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX10N60FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 10 A (VGS = 10V)0.202.76 RDS(ON) 730m (VGS = 10V)1 2 3 Qg(typ.)= 29.5nC1.47max0.200.50D0.200.802.54typ2.54typGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top