KX120N06 Todos los transistores

 

KX120N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX120N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: TO220

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KX120N06 datasheet

 ..1. Size:1520K  kexin
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KX120N06

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX120N06 TO-220 9.90 0.20 4.50 0.20 (8.70) +0.10 3.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 60V ID = 100 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6.5m (VGS = 10V) Special process technology for high ESD capability Fully characterized Avalanche voltage and current 1.27 0.10 1.52 0.10 2 1 3 0.80 0.10 +0.10 0.50

Otros transistores... KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , IRFB31N20D , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C .

History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2

 

 

 

 

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