KX120N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX120N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 85 nC
   Tiempo de subida (tr): 10.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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KX120N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:1520K kexin
kx120n06.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX120N06TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 60V ID = 100 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6.5m (VGS = 10V) Special process technology for high ESD capability Fully characterized Avalanche voltage and current1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50

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Liste

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