KX120N06 Todos los transistores

 

KX120N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX120N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de KX120N06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KX120N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1520K  kexin
kx120n06.pdf pdf_icon

KX120N06

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX120N06TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 60V ID = 100 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6.5m (VGS = 10V) Special process technology for high ESD capability Fully characterized Avalanche voltage and current1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50

Otros transistores... KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , IRF730 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C .

History: APT47N65BC3 | CS3205 | SFF80N20PUB

 

 
Back to Top

 


 
.