Справочник MOSFET. KX120N06

 

KX120N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX120N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для KX120N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX120N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1520K  kexin
 kx120n06.pdf pdf_icon

KX120N06

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX120N06TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 60V ID = 100 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6.5m (VGS = 10V) Special process technology for high ESD capability Fully characterized Avalanche voltage and current1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50

Другие MOSFET... KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , IRF730 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C .

History: 2N6788LCC4 | 2SK2592 | PSA10N65C | AUIRF7316Q | MTE55N20J3 | RU75N08S | NTMFS6H864NL

 

 
Back to Top

 


 
.