KX120N06 - описание и поиск аналогов

 

KX120N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX120N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для KX120N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX120N06 даташит

 ..1. Size:1520K  kexin
 kx120n06.pdf pdf_icon

KX120N06

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX120N06 TO-220 9.90 0.20 4.50 0.20 (8.70) +0.10 3.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 60V ID = 100 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6.5m (VGS = 10V) Special process technology for high ESD capability Fully characterized Avalanche voltage and current 1.27 0.10 1.52 0.10 2 1 3 0.80 0.10 +0.10 0.50

Другие MOSFET... KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , IRFB31N20D , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C .

History: STD30NF03LT4 | 2SK843 | 2SK723 | NDP04N60Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.