KX1N60DS Todos los transistores

 

KX1N60DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX1N60DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 350 Ohm

Encapsulados: SOT23

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KX1N60DS datasheet

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KX1N60DS

SMD Type MOSFET N-Channel Power MOSFET KX1N60DS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features ESD improved capability 1 2 Depletion mode +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 dv/dt rated +0.1 1.9 -0.2 Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra

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History: SLF65R1K2E7 | SLD60N04TB | SLF65R180E7C

 

 

 

 

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