KX1N60DS Todos los transistores

 

KX1N60DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX1N60DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 350 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KX1N60DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1833K  kexin
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KX1N60DS

SMD Type MOSFETN-Channel Power MOSFET KX1N60DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features ESD improved capability1 2 Depletion mode+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 dv/dt rated +0.11.9 -0.2 Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra

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