KX1N60DS - описание и поиск аналогов

 

KX1N60DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX1N60DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 350 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для KX1N60DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX1N60DS даташит

 ..1. Size:1833K  kexin
 kx1n60ds.pdf pdf_icon

KX1N60DS

SMD Type MOSFET N-Channel Power MOSFET KX1N60DS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features ESD improved capability 1 2 Depletion mode +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 dv/dt rated +0.1 1.9 -0.2 Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra

Другие MOSFET... KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , IRF1405 , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F .

History: SM1A54NHU | 2SK4184-ZK | WMK12N80M3 | SM1F02NSF | WMK11N65SR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.