Справочник MOSFET. KX1N60DS

 

KX1N60DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX1N60DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 350 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KX1N60DS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX1N60DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1833K  kexin
 kx1n60ds.pdf pdf_icon

KX1N60DS

SMD Type MOSFETN-Channel Power MOSFET KX1N60DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features ESD improved capability1 2 Depletion mode+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 dv/dt rated +0.11.9 -0.2 Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra

Другие MOSFET... KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , NCEP15T14 , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F .

History: CEB02N6G | WMB040N03LG2

 

 
Back to Top

 


 
.