Справочник MOSFET. KX1N60DS

 

KX1N60DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX1N60DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 350 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KX1N60DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1833K  kexin
 kx1n60ds.pdf pdf_icon

KX1N60DS

SMD Type MOSFETN-Channel Power MOSFET KX1N60DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features ESD improved capability1 2 Depletion mode+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 dv/dt rated +0.11.9 -0.2 Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: UF630L-TF1-T | CES2316 | FK16KM-6 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.