KX3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX3N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 909 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KX3N80

KX3N80 Datasheet (PDF)

..1. Size:3231K kexin
kx3n80.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX3N80TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 800V ID = 3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5 (VGS = 10V)D Low gate charge ( typical 15 nC) 1.27 0.10 1.52 0.1021 3 Low Crss ( typical 7.0 pF)0.80 0.10 +0.100.50 0.052.40 0.202.54TYP 2.54TYP

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APT20M34BFLLG | BUK9515-60E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: