KX3N80 Todos los transistores

 

KX3N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX3N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 909 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO220

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KX3N80 datasheet

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KX3N80

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX3N80 TO-220 9.90 0.20 4.50 0.20 (8.70) +0.10 3.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 800V ID = 3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5 (VGS = 10V) D Low gate charge ( typical 15 nC) 1.27 0.10 1.52 0.10 2 1 3 Low Crss ( typical 7.0 pF) 0.80 0.10 +0.10 0.50 0.05 2.40 0.20 2.54TYP 2.54TYP

Otros transistores... KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , 7N60 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 .

History: 2SK725 | AOB20S60L | 2SK549

 

 

 

 

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