KX3N80 Todos los transistores

 

KX3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX3N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 909 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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KX3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3231K  kexin
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KX3N80

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX3N80TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 800V ID = 3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5 (VGS = 10V)D Low gate charge ( typical 15 nC) 1.27 0.10 1.52 0.1021 3 Low Crss ( typical 7.0 pF)0.80 0.10 +0.100.50 0.052.40 0.202.54TYP 2.54TYP

Otros transistores... KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , MMIS60R580P , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 .

History: CS3N90A8 | WMC1N40D1 | CS3N65A4H-G

 

 
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