Справочник MOSFET. KX3N80

 

KX3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 909 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KX3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3231K  kexin
 kx3n80.pdf pdf_icon

KX3N80

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX3N80TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 800V ID = 3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5 (VGS = 10V)D Low gate charge ( typical 15 nC) 1.27 0.10 1.52 0.1021 3 Low Crss ( typical 7.0 pF)0.80 0.10 +0.100.50 0.052.40 0.202.54TYP 2.54TYP

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 75N08 | STP8NK85Z

 

 
Back to Top

 


 
.