KX3N80 - описание и поиск аналогов

 

KX3N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX3N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 909 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для KX3N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX3N80 даташит

 ..1. Size:3231K  kexin
 kx3n80.pdf pdf_icon

KX3N80

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX3N80 TO-220 9.90 0.20 4.50 0.20 (8.70) +0.10 3.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 800V ID = 3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5 (VGS = 10V) D Low gate charge ( typical 15 nC) 1.27 0.10 1.52 0.10 2 1 3 Low Crss ( typical 7.0 pF) 0.80 0.10 +0.10 0.50 0.05 2.40 0.20 2.54TYP 2.54TYP

Другие MOSFET... KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , 7N60 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 .

History: 2SK591 | AOC2403

 

 

 

 

↑ Back to Top
.