KX4N60F Todos los transistores

 

KX4N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX4N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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KX4N60F datasheet

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KX4N60F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX4N60F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 600V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 2.5 (VGS = 10V) 0.20 2.76 D 1.47max 0.20 0.50 1 2 3 G 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600 V

Otros transistores... KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , IRFZ48N , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 .

History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2

 

 

 

 

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