KX4N60F Todos los transistores

 

KX4N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX4N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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KX4N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1765K  kexin
 kx4n60f.pdf pdf_icon

KX4N60F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX4N60FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 2.5 (VGS = 10V)0.202.76D1.47max0.200.501 2 3G0.200.802.54typ2.54typS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600V

Otros transistores... KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , RU7088R , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 .

History: NP80N03DDE | IRLB8743 | IRL60HS118

 

 
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