KX4N60F - описание и поиск аналогов

 

KX4N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX4N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для KX4N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX4N60F даташит

 ..1. Size:1765K  kexin
 kx4n60f.pdf pdf_icon

KX4N60F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX4N60F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 600V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 2.5 (VGS = 10V) 0.20 2.76 D 1.47max 0.20 0.50 1 2 3 G 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600 V

Другие MOSFET... KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , IRFZ48N , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 .

History: 2SK632 | 3N80G-TMS4-R | 2SK856 | SM1A23NSV | KTK598TV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.