KX6N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX6N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KX6N70

KX6N70 Datasheet (PDF)

..1. Size:3152K kexin
kx6n70.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETKX6N70TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC)D1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50 0.05 2.40 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20] [2.54 0.20]G

0.1. Size:4290K kexin
kx6n70f.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETKX6N70FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.54 Features0.200.70 VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC)0.202.761.47max0.200.500.200.802.54typ2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

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History: ZXMN3A01E6

Liste

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