KX6N70 - описание и поиск аналогов

 

KX6N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX6N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для KX6N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX6N70 даташит

 ..1. Size:3152K  kexin
 kx6n70.pdf pdf_icon

KX6N70

DIP Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET KX6N70 TO-220 9.90 0.20 4.50 0.20 (8.70) +0.10 3.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC) D 1.27 0.10 1.52 0.10 2 1 3 0.80 0.10 +0.10 0.50 0.05 2.40 0.20 2.54TYP 2.54TYP [2.54 0.20] [2.54 0.20] G

 0.1. Size:4290K  kexin
 kx6n70f.pdf pdf_icon

KX6N70

DIP Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET KX6N70F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 Features 0.20 0.70 VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC) 0.20 2.76 1.47max 0.20 0.50 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit

Другие MOSFET... KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , IRFZ46N , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 .

History: STD2NK70Z | 3N80G-TN3-R | SM3303PSQG | 2SK745 | AOB2906 | 2SK775 | 2P829I9

 

 

 

 

↑ Back to Top
.