KX6N80F Todos los transistores

 

KX6N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX6N80F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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KX6N80F datasheet

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KX6N80F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX6N80F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 800V ID = 7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.9 (VGS = 10V) 0.20 2.76 Low Gate Charge (Typ. 27 nC) 1.47max Fast switching 100% Avalanche Tested 0.20 0.50 D 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ G S Absolute Maximum Rating

Otros transistores... KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , IRLB3034 , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 .

History: 100N03A | ME2306A-G | VS3640DB | 2SK2253-01M | SM4305PSKC | STF15N60M2-EP | AO8803

 

 

 

 

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