KX6N80F Todos los transistores

 

KX6N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX6N80F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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KX6N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3400K  kexin
 kx6n80f.pdf pdf_icon

KX6N80F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX6N80FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 800V ID = 7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.9 (VGS = 10V)0.202.76 Low Gate Charge (Typ. 27 nC)1.47max Fast switching 100% Avalanche Tested0.200.50D 0.200.802.54typ2.54typG S Absolute Maximum Rating

Otros transistores... KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , 60N06 , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 .

History: STF12N50M2 | WMO07N65C4 | NID9N05ACLT4G | NTHS2101PT1 | GSM4440 | STI10NM60N | KF16N50F

 

 
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