Справочник MOSFET. KX6N80F

 

KX6N80F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX6N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для KX6N80F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX6N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3400K  kexin
 kx6n80f.pdf pdf_icon

KX6N80F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX6N80FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 800V ID = 7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.9 (VGS = 10V)0.202.76 Low Gate Charge (Typ. 27 nC)1.47max Fast switching 100% Avalanche Tested0.200.50D 0.200.802.54typ2.54typG S Absolute Maximum Rating

Другие MOSFET... KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , 60N06 , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 .

History: SFS9620 | SE120120G | PT4410 | CS3N80FA9 | NCEP60ND30AG | HY3408AP | SE100150G

 

 
Back to Top

 


 
.