Справочник MOSFET. KX6N80F

 

KX6N80F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX6N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KX6N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3400K  kexin
 kx6n80f.pdf pdf_icon

KX6N80F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX6N80FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 800V ID = 7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.9 (VGS = 10V)0.202.76 Low Gate Charge (Typ. 27 nC)1.47max Fast switching 100% Avalanche Tested0.200.50D 0.200.802.54typ2.54typG S Absolute Maximum Rating

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STD24N06L | R6535KNZ1 | CRTD110N03L | VSE002N03MS-G | 2SK3842 | NCE65TF180D | 2SK3430-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.