KX6N80F - описание и поиск аналогов

 

KX6N80F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX6N80F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для KX6N80F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX6N80F даташит

 ..1. Size:3400K  kexin
 kx6n80f.pdf pdf_icon

KX6N80F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX6N80F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 800V ID = 7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.9 (VGS = 10V) 0.20 2.76 Low Gate Charge (Typ. 27 nC) 1.47max Fast switching 100% Avalanche Tested 0.20 0.50 D 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ G S Absolute Maximum Rating

Другие MOSFET... KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , IRLB3034 , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.