KX90N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX90N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 396 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KX90N06

KX90N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:987K kexin
kx90n06.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX90N06TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 70V ID = 80 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.2m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50 0.052.40 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20 ] [2.54 0.20 ]1 GATE2 DR

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