Справочник MOSFET. KX90N06

 

KX90N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX90N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для KX90N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX90N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  kexin
 kx90n06.pdf pdf_icon

KX90N06

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX90N06TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 70V ID = 80 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.2m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50 0.052.40 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20 ] [2.54 0.20 ]1 GATE2 DR

Другие MOSFET... KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , IRF9640 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 .

History: P6503NJ | MTP12N20 | JFAM20N60C

 

 
Back to Top

 


 
.