KX90N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KX90N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 82 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 396 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0059 Ohm
Тип корпуса: TO220
KX90N06 Datasheet (PDF)
..1. Size:987K kexin
kx90n06.pdf
kx90n06.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX90N06TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 70V ID = 80 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.2m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50 0.052.40 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20 ] [2.54 0.20 ]1 GATE2 DR
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
