NDT06N03 Todos los transistores

 

NDT06N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT06N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NDT06N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1464K  kexin
 ndt06n03.pdf pdf_icon

NDT06N03

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT06N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 30V ID = 60 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.1m (VGS = 10V)0.1270.80+0.1 max-0.1 RDS(ON) 5.9m (VGS = 4.5V)1 Gate+ 0.1D2 Drain2.3 0.60- 0.1+0.15 3 Source4.60 -0.154 DrainGS Absolute Ma

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