Справочник MOSFET. NDT06N03

 

NDT06N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT06N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NDT06N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT06N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1464K  kexin
 ndt06n03.pdf pdf_icon

NDT06N03

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT06N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 30V ID = 60 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.1m (VGS = 10V)0.1270.80+0.1 max-0.1 RDS(ON) 5.9m (VGS = 4.5V)1 Gate+ 0.1D2 Drain2.3 0.60- 0.1+0.15 3 Source4.60 -0.154 DrainGS Absolute Ma

Другие MOSFET... KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , 2N7002 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 .

History: NTMS5P02R2SG | SI4831DY | AM10N30-600I

 

 
Back to Top

 


 
.