NDT110N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT110N03
   Código: CSD30N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 30 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 720 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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NDT110N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:1907K kexin
ndt110n03.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT110N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.2 Features 5.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V4 ID = 110 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 6m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability+ 0.1 Lead free product is acquired2.3 0.60- 0

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Liste

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