Справочник MOSFET. NDT110N03

 

NDT110N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT110N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT110N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1907K  kexin
 ndt110n03.pdf pdf_icon

NDT110N03

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT110N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.2 Features 5.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V4 ID = 110 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 6m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability+ 0.1 Lead free product is acquired2.3 0.60- 0

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP4531GH | UF830G-TQ2-T | CHM630PAGP | 2N4338 | SI1402DH | NCEP014NH60GU | CEP4060AL

 

 
Back to Top

 


 
.