NDT1N70 Todos los transistores

 

NDT1N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT1N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.3 Ohm

Encapsulados: TO252

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NDT1N70 datasheet

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NDT1N70

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT1N70 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 1.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 13.5 (VGS = 10V) 2.Drain 0.127 +0.1 0.80-0.1 Fast switching capability max + 0.1 1 Gate 2.3 0.60- 0.1 1.Gate +0.15 4 .60 -0.15 2 Drain 3 Source 3.Source Absolute

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History: 2SK957-M | SUD50P06-15L-GE3 | IRF7379I | SIR422DP-T1-GE3 | SI4947ADY | STD13N50DM2AG

 

 

 

 

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