NDT1N70 Todos los transistores

 

NDT1N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT1N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NDT1N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1482K  kexin
 ndt1n70.pdf pdf_icon

NDT1N70

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT1N70TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 1.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 13.5 (VGS = 10V)2.Drain0.127+0.10.80-0.1 Fast switching capability max+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.11.Gate+0.154 .60 -0.152 Drain3 Source3.Source Absolute

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History: WPM1481 | SI7222DN | MTB30P06VT4G | SVS5N70MN | R6576KNZ1 | HSBA3054 | IRFR3709ZCT

 

 
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