Справочник MOSFET. NDT1N70

 

NDT1N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT1N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NDT1N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT1N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1482K  kexin
 ndt1n70.pdf pdf_icon

NDT1N70

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT1N70TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 1.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 13.5 (VGS = 10V)2.Drain0.127+0.10.80-0.1 Fast switching capability max+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.11.Gate+0.154 .60 -0.152 Drain3 Source3.Source Absolute

Другие MOSFET... KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , 5N50 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P .

History: WST2304A | JBE084M | WMO13N50C4

 

 
Back to Top

 


 
.