NDT1N70 - описание и поиск аналогов

 

NDT1N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT1N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NDT1N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT1N70 даташит

 ..1. Size:1482K  kexin
 ndt1n70.pdf pdf_icon

NDT1N70

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT1N70 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 1.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 13.5 (VGS = 10V) 2.Drain 0.127 +0.1 0.80-0.1 Fast switching capability max + 0.1 1 Gate 2.3 0.60- 0.1 1.Gate +0.15 4 .60 -0.15 2 Drain 3 Source 3.Source Absolute

Другие MOSFET... KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , IRFP064N , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P .

History: JCS10N70C | 3N70G-TN3-R | IRF8513 | IRF8910

 

 

 

 

↑ Back to Top
.