NDT2N60P Todos los transistores

 

NDT2N60P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT2N60P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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NDT2N60P datasheet

 ..1. Size:1619K  kexin
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NDT2N60P

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT2N60P Unit mm TO-251 6.50 0.15 2.30 0.10 5.30 0.10 0.58 (max) 0.43 (min) Features VDS (V) = 600V ID = 2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.5 (VGS = 10V) 1 2 3 Low Gate Charge 0.80 0.10 Low Reverse transfer capacitances 0.60 0.10 0.58 (max) 2.30(typ) 0.43 (min) 4.60 0.10 1.20 0.15 Absolute Maximum Ratin

 7.1. Size:1627K  kexin
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NDT2N60P

Otros transistores... MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , IRFZ44N , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , NDT5N70P .

History: 30N06L-TA3-T | SMK0825FZ | CS8N80A8H | BSR302N | APM2605C | AP4532GM-HF | PJM3401PSA

 

 

 

 

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