NDT2N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT2N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT2N60P

NDT2N60P Datasheet (PDF)

..1. Size:1619K kexin
ndt2n60p.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT2N60PUnit:mmTO-2516.500.152.300.105.300.100.58 (max)0.43 (min) Features VDS (V) = 600V ID = 2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.5 (VGS = 10V) 1 2 3 Low Gate Charge0.800.10 Low Reverse transfer capacitances0.600.100.58 (max)2.30(typ)0.43 (min)4.600.101.200.15 Absolute Maximum Ratin

7.1. Size:1627K kexin
ndt2n60.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT2N60TO-252Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 600V ID = 2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.5 (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances1 Gate2.3 0.60+ 0.1- 0.12 Drain+0.154.60 -0.15 3 Source4 Drain

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Liste

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