Справочник MOSFET. NDT2N60P

 

NDT2N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT2N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для NDT2N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT2N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1619K  kexin
 ndt2n60p.pdf pdf_icon

NDT2N60P

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT2N60PUnit:mmTO-2516.500.152.300.105.300.100.58 (max)0.43 (min) Features VDS (V) = 600V ID = 2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.5 (VGS = 10V) 1 2 3 Low Gate Charge0.800.10 Low Reverse transfer capacitances0.600.100.58 (max)2.30(typ)0.43 (min)4.600.101.200.15 Absolute Maximum Ratin

 7.1. Size:1627K  kexin
 ndt2n60.pdf pdf_icon

NDT2N60P

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT2N60TO-252Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 600V ID = 2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.5 (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances1 Gate2.3 0.60+ 0.1- 0.12 Drain+0.154.60 -0.15 3 Source4 Drain

Другие MOSFET... MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , IRFZ44N , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , NDT5N70P .

History: PSMN013-100YSE | WVM15N45 | MTB1K6N06KS6R | SFG10R75BCF | WSF20N20G | HRP30N04K | KMB6D0DN35QB

 

 
Back to Top

 


 
.