NDT35N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT35N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 34.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 110 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT35N06

NDT35N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:1469K kexin
ndt35n06.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT35N06TO-252Unit: mm Features+ 0.156.50- 0.15+ 0.12.30- 0.1+ 0.25.30- 0.2 VDS (V) = 60V + 0.80.50 - 0.7 ID = 35 A4 RDS(ON) 23m (VGS = 10V)2,4 RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 37m (VGS = 4V)1+ 0.1 1 : Gate2.3 0.60- 0.1+ 0.152 : Drain4

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Liste

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