NDT35N06 - описание и поиск аналогов

 

NDT35N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT35N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NDT35N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT35N06 даташит

 ..1. Size:1469K  kexin
 ndt35n06.pdf pdf_icon

NDT35N06

SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET NDT35N06 TO-252 Unit mm Features + 0.15 6.50- 0.15 + 0.1 2.30- 0.1 + 0.2 5.30- 0.2 VDS (V) = 60V + 0.8 0.50 - 0.7 ID = 35 A 4 RDS(ON) 23m (VGS = 10V) 2,4 RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V) 0.127 +0.1 0.80-0.1 max RDS(ON) 37m (VGS = 4V) 1 + 0.1 1 Gate 2.3 0.60- 0.1 + 0.15 2 Drain 4

Другие MOSFET... NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , IRF3205 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , NDT5N70P , NDT6N60 .

History: WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.