Справочник MOSFET. NDT35N06

 

NDT35N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT35N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NDT35N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT35N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1469K  kexin
 ndt35n06.pdf pdf_icon

NDT35N06

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT35N06TO-252Unit: mm Features+ 0.156.50- 0.15+ 0.12.30- 0.1+ 0.25.30- 0.2 VDS (V) = 60V + 0.80.50 - 0.7 ID = 35 A4 RDS(ON) 23m (VGS = 10V)2,4 RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 37m (VGS = 4V)1+ 0.1 1 : Gate2.3 0.60- 0.1+ 0.152 : Drain4

Другие MOSFET... NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , IRF3205 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , NDT5N70P , NDT6N60 .

History: IXFA26N30X3 | TMC8N65H | HRS88N08K | NCE3008N | KIA2N60H-252 | WMQ37N03T1 | RU30E4B

 

 
Back to Top

 


 
.