NDT50N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT50N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT50N03

NDT50N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:1818K kexin
ndt50n03.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET NDT50N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 90 A (VGS = 10V)D RDS(ON) 5.7m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1 RDS(ON) 7.8m (VGS = 4.5V) maxG+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3SourceS Absolute Maximum Ratings

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Liste

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