NDT50N03 Todos los transistores

 

NDT50N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT50N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: TO252

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NDT50N03 datasheet

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NDT50N03

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT50N03 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 90 A (VGS = 10V) D RDS(ON) 5.7m (VGS = 10V) 0.127 +0.1 0.80-0.1 RDS(ON) 7.8m (VGS = 4.5V) max G + 0.1 1Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2Drain 3Source S Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , 50N06 , NDT5N70P , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 .

History: IXFM67N10 | AOD2904 | FHU5N60A | NTD4904N | AGM612MNA | FX20VSJ-3 | AUIRF7343Q

 

 

 

 

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