NDT50N03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NDT50N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для NDT50N03
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NDT50N03 даташит
ndt50n03.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT50N03 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 90 A (VGS = 10V) D RDS(ON) 5.7m (VGS = 10V) 0.127 +0.1 0.80-0.1 RDS(ON) 7.8m (VGS = 4.5V) max G + 0.1 1Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2Drain 3Source S Absolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , 50N06 , NDT5N70P , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 .
History: SVD3205T | NDT4N70 | NTD4965N | 2SK4070I | BSC079N03S | WMM28N60F2
History: SVD3205T | NDT4N70 | NTD4965N | 2SK4070I | BSC079N03S | WMM28N60F2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df

