Справочник MOSFET. NDT50N03

 

NDT50N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDT50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NDT50N03

 

 

NDT50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1818K  kexin
 ndt50n03.pdf

NDT50N03 NDT50N03

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET NDT50N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 90 A (VGS = 10V)D RDS(ON) 5.7m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1 RDS(ON) 7.8m (VGS = 4.5V) maxG+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3SourceS Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top