NDT5N70P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT5N70P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT5N70P

NDT5N70P Datasheet (PDF)

..1. Size:2590K kexin
ndt5n70p.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT5N70P TO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 5.0 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) High Current, High Speed SwitchingD1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 5.0 Cont

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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