NDT5N70P Todos los transistores

 

NDT5N70P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT5N70P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.48 Ohm

Encapsulados: TO251

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NDT5N70P datasheet

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NDT5N70P

DIP Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET NDT5N70P TO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 5.0 A (VGS = 10V) 1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) High Current, High Speed Switching D 1 3 2 G S Unit mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 5.0 Cont

Otros transistores... NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , IRFP460 , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 .

History: NTD4904N | IRF3205LPBF | 2SK3857CT | LXP152ALT1G | 30P06

 

 

 

 

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