NDT5N70P Todos los transistores

 

NDT5N70P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT5N70P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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NDT5N70P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2590K  kexin
 ndt5n70p.pdf pdf_icon

NDT5N70P

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT5N70P TO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 5.0 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) High Current, High Speed SwitchingD1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 5.0 Cont

Otros transistores... NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , IRF640 , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 .

History: HRP35N04K | IRFB4332PBF

 

 
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