Справочник MOSFET. NDT5N70P

 

NDT5N70P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT5N70P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.48 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT5N70P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2590K  kexin
 ndt5n70p.pdf pdf_icon

NDT5N70P

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT5N70P TO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 5.0 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) High Current, High Speed SwitchingD1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 5.0 Cont

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.