Справочник MOSFET. NDT5N70P

 

NDT5N70P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT5N70P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.48 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для NDT5N70P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT5N70P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2590K  kexin
 ndt5n70p.pdf pdf_icon

NDT5N70P

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT5N70P TO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 5.0 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) High Current, High Speed SwitchingD1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 5.0 Cont

Другие MOSFET... NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , IRF640 , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 .

History: IRF7342QPBF | WMS048NV6LG4 | NTTFS030N06C | HRP35N04K | IRF7306 | IRF7304QPBF | HRS85N08K

 

 
Back to Top

 


 
.