NDT5N70P - описание и поиск аналогов

 

NDT5N70P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT5N70P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.48 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для NDT5N70P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT5N70P даташит

 ..1. Size:2590K  kexin
 ndt5n70p.pdf pdf_icon

NDT5N70P

DIP Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET NDT5N70P TO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 5.0 A (VGS = 10V) 1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) High Current, High Speed Switching D 1 3 2 G S Unit mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 5.0 Cont

Другие MOSFET... NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 , IRFP460 , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 .

History: WMN15N65F2 | 2SK1444LS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.