NDT6N65P Todos los transistores

 

NDT6N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT6N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

NDT6N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3425K  kexin
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NDT6N65P

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT6N65PTO-251 Features VDS (V) = 650V1 2 3 ID = 4.8A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V)D Low gate charge ( typical 16nC)1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 650V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 4.8 Continuou

 8.1. Size:1327K  kexin
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NDT6N65P

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT6N60PTO-251 Features VDS (V) = 600V1 2 3 ID = 6.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.5 (VGS = 10V) Fast switching capability Low reverse transfer Capacitance1 32DrainUnit: mmGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600V Gate-Source Voltage V

 8.2. Size:1815K  kexin
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NDT6N65P

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT6N60 TO-252Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 600V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V) 0.1270.80+0.1 max-0.1 Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances1 Gate2.3 0.60+ 0.1- 0.12 Drain+0.154.60 -0.153 Source4 Drain

 9.1. Size:3144K  kexin
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NDT6N65P

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT6N70PTO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 4.8A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC)D1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 4.8 Continuou

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History: SI2202 | SIHF10N40D

 

 
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