NDT70N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDT70N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Encapsulados: TO252
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NDT70N06 datasheet
ndt70n06.pdf
SMD Type MOSFET Transistors N-Channel Trench Power MOSFET NDT70N06 TO-252 Unit mm Features +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 VDS = 60V; ID = 88A +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 RDS(ON) 6.6m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2Drain 3Source Absolute Maximum Ratings Ta =
ndt70n03.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT70N03 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 33A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.3m (VGS = 10V) D 0.127 +0.1 0.80-0.1 RDS(ON) 6.5m (VGS = 4.5V) max + 0.1 1 Gate 2.3 0.60- 0.1 G +0.15 4.60 -0.15 2 Drain 3 Source S Absolute Maximum Ratings
Otros transistores... NDT50N03 , NDT5N70P , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , IRFP260N , NDT90N03 , NDT90N04 , NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS .
History: IRF533FI
History: IRF533FI
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Liste
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