NDT70N06 Todos los transistores

 

NDT70N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT70N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NDT70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  kexin
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NDT70N06

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Trench Power MOSFETNDT70N06TO-252Unit: mm Features+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 VDS = 60V; ID = 88A +0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 6.6m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3Source Absolute Maximum Ratings Ta =

 7.1. Size:1184K  kexin
 ndt70n03.pdf pdf_icon

NDT70N06

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT70N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 33A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.3m (VGS = 10V)D0.127+0.10.80-0.1 RDS(ON) 6.5m (VGS = 4.5V) max+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.1G +0.154.60 -0.152 Drain3 SourceS Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... NDT50N03 , NDT5N70P , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , 10N60 , NDT90N03 , NDT90N04 , NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS .

History: 2SK266 | KHB019N20F2 | 640 | KHB1D0N60G | NTMFS4852N | BRF12N65 | 2N6451

 

 
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