NDT70N06 - описание и поиск аналогов

 

NDT70N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT70N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NDT70N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT70N06 даташит

 ..1. Size:532K  kexin
 ndt70n06.pdf pdf_icon

NDT70N06

SMD Type MOSFET Transistors N-Channel Trench Power MOSFET NDT70N06 TO-252 Unit mm Features +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 VDS = 60V; ID = 88A +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 RDS(ON) 6.6m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2Drain 3Source Absolute Maximum Ratings Ta =

 7.1. Size:1184K  kexin
 ndt70n03.pdf pdf_icon

NDT70N06

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT70N03 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 33A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.3m (VGS = 10V) D 0.127 +0.1 0.80-0.1 RDS(ON) 6.5m (VGS = 4.5V) max + 0.1 1 Gate 2.3 0.60- 0.1 G +0.15 4.60 -0.15 2 Drain 3 Source S Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... NDT50N03 , NDT5N70P , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , IRFP260N , NDT90N03 , NDT90N04 , NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS .

History: IRLS3034-7PPBF | ZXMP10A18KTC | FHP5N65C | AP4533GEM-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.