NDT90N04 Todos los transistores

 

NDT90N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT90N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 141 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 985 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de NDT90N04 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDT90N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  kexin
 ndt90n04.pdf pdf_icon

NDT90N04

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Trench Power MOSFETNDT90N04TO-252Unit: mm Features VDS = 40V; ID = 120A+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3.5m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3Source Absolute Maximum Ratings Ta

 7.1. Size:1904K  kexin
 ndt90n03.pdf pdf_icon

NDT90N04

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT90N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V4 ID = 85 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 8m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability Lead free product is acquired+ 0.12.3 0.60- 0.

Otros transistores... NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , AON6414A , NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS .

History: SSM6P28TU | RSS100N03TB | AG7N60S | NVBLS0D7N06C | IRFP453 | SES759 | NTB45N06LG

 

 
Back to Top

 


 
.