NDT90N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDT90N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 141 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 985 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Encapsulados: TO252
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NDT90N04 datasheet
ndt90n04.pdf
SMD Type MOSFET Transistors N-Channel Trench Power MOSFET NDT90N04 TO-252 Unit mm Features VDS = 40V; ID = 120A +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 RDS(ON) 3.5m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2Drain 3Source Absolute Maximum Ratings Ta
ndt90n03.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT90N03 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 30V 4 ID = 85 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5m (VGS = 10V) 0.127 +0.1 0.80-0.1 max RDS(ON) 8m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability Lead free product is acquired + 0.1 2.3 0.60- 0.
Otros transistores... NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , IRFB4227 , NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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