Справочник MOSFET. NDT90N04

 

NDT90N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT90N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 141 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 985 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT90N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  kexin
 ndt90n04.pdf pdf_icon

NDT90N04

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Trench Power MOSFETNDT90N04TO-252Unit: mm Features VDS = 40V; ID = 120A+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3.5m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3Source Absolute Maximum Ratings Ta

 7.1. Size:1904K  kexin
 ndt90n03.pdf pdf_icon

NDT90N04

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT90N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V4 ID = 85 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 8m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability Lead free product is acquired+ 0.12.3 0.60- 0.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF20NM60D | YTF840 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.