NDT90N04 - описание и поиск аналогов

 

NDT90N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT90N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 141 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 985 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NDT90N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT90N04 даташит

 ..1. Size:202K  kexin
 ndt90n04.pdf pdf_icon

NDT90N04

SMD Type MOSFET Transistors N-Channel Trench Power MOSFET NDT90N04 TO-252 Unit mm Features VDS = 40V; ID = 120A +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 RDS(ON) 3.5m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test 0.127 +0.1 0.80-0.1 max + 0.1 1Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4.60 -0.15 2Drain 3Source Absolute Maximum Ratings Ta

 7.1. Size:1904K  kexin
 ndt90n03.pdf pdf_icon

NDT90N04

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT90N03 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 Features +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 VDS (V) = 30V 4 ID = 85 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5m (VGS = 10V) 0.127 +0.1 0.80-0.1 max RDS(ON) 8m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability Lead free product is acquired + 0.1 2.3 0.60- 0.

Другие MOSFET... NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , IRFB4227 , NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS .

History: NTE4153NT1G | IRF7700 | NDT6N70 | SI2325DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.