NFT1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NFT1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NFT1N60

NFT1N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:1525K kexin
nft1n60.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNFT1N60Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 7.9 (VGS = 10V) High switching speed0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane Improved dv/dt capability0.66 (min)1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25

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Liste

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