NFT1N60 Todos los transistores

 

NFT1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NFT1N60
   Código: 1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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NFT1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1525K  kexin
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NFT1N60

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNFT1N60Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 7.9 (VGS = 10V) High switching speed0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane Improved dv/dt capability0.66 (min)1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Otros transistores... NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , NDT90N04 , P55NF06 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , SI2318DS .

History: SI6423DQ | NTP6413ANG

 

 
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