Справочник MOSFET. NFT1N60

 

NFT1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NFT1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NFT1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1525K  kexin
 nft1n60.pdf pdf_icon

NFT1N60

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNFT1N60Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 7.9 (VGS = 10V) High switching speed0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane Improved dv/dt capability0.66 (min)1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Другие MOSFET... NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , NDT90N04 , P55NF06 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , SI2318DS .

History: NX138BK | AP3P028LM | APT1004RCN

 

 
Back to Top

 


 
.