Справочник MOSFET. NFT1N60

 

NFT1N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NFT1N60
   Маркировка: 1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для NFT1N60

 

 

NFT1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1525K  kexin
 nft1n60.pdf

NFT1N60 NFT1N60

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNFT1N60Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 7.9 (VGS = 10V) High switching speed0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane Improved dv/dt capability0.66 (min)1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP70NS04ZC

 

 
Back to Top