NFT1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NFT1N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.9 Ohm
Тип корпуса: SOT223
NFT1N60 Datasheet (PDF)
nft1n60.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNFT1N60Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 7.9 (VGS = 10V) High switching speed0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane Improved dv/dt capability0.66 (min)1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Другие MOSFET... NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , NDT90N04 , P55NF06 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , SI2318DS .
History: NX138BK | AP3P028LM | APT1004RCN
History: NX138BK | AP3P028LM | APT1004RCN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor