NTD6N15 Todos los transistores

 

NTD6N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD6N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO252

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NTD6N15 datasheet

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NTD6N15

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NTD6N15 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 -0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) = 150V ID = 6 A (VGS = 10V) 0.127 RDS(ON) 300m (VGS = 10V) +0.1 0.80-0.1 max Silicon Gate for Fast Switching Speeds Low Drive Requirement 1 Gate 2.3 0.60+ 0.1 - 0.1 2 Drain +0.15 4.60 -0.15 D 3 S

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