NTD6N15 Todos los transistores

 

NTD6N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD6N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NTD6N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1627K  kexin
 ntd6n15.pdf pdf_icon

NTD6N15

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNTD6N15TO-252Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 150V ID = 6 A (VGS = 10V)0.127 RDS(ON) 300m (VGS = 10V)+0.10.80-0.1max Silicon Gate for Fast Switching Speeds Low Drive Requirement 1 Gate2.3 0.60+ 0.1- 0.12 Drain+0.154.60 -0.15D3 S

Otros transistores... NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , NDT90N04 , NFT1N60 , NTD100N02 , IRFB4110 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , SI2318DS , SI2324DS , SI2328DS .

History: MSAEZ50N10A | PS06P30SA | QS6J11

 

 
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