NTD6N15 - описание и поиск аналогов

 

NTD6N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD6N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NTD6N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD6N15 даташит

 ..1. Size:1627K  kexin
 ntd6n15.pdf pdf_icon

NTD6N15

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NTD6N15 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 -0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) = 150V ID = 6 A (VGS = 10V) 0.127 RDS(ON) 300m (VGS = 10V) +0.1 0.80-0.1 max Silicon Gate for Fast Switching Speeds Low Drive Requirement 1 Gate 2.3 0.60+ 0.1 - 0.1 2 Drain +0.15 4.60 -0.15 D 3 S

Другие MOSFET... NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , NDT90N04 , NFT1N60 , NTD100N02 , AON6414A , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , SI2318DS , SI2324DS , SI2328DS .

History: NTD4860N | ZXMP10A16KTC | SM3323NHQG | TPM4105EC6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.