NTD6N15 - аналоги и даташиты транзистора

 

NTD6N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTD6N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NTD6N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD6N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1627K  kexin
 ntd6n15.pdf pdf_icon

NTD6N15

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNTD6N15TO-252Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 150V ID = 6 A (VGS = 10V)0.127 RDS(ON) 300m (VGS = 10V)+0.10.80-0.1max Silicon Gate for Fast Switching Speeds Low Drive Requirement 1 Gate2.3 0.60+ 0.1- 0.12 Drain+0.154.60 -0.15D3 S

Другие MOSFET... NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , NDT90N03 , NDT90N04 , NFT1N60 , NTD100N02 , P55NF06 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , SI2318DS , SI2324DS , SI2328DS .

History: SI2308DS

 

 
Back to Top

 


 
.