SI2314EDS Todos los transistores

 

SI2314EDS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2314EDS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI2314EDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  vishay
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SI2314EDS

Si2314EDSVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D ESD Protected: 3000 VD RoHS Compliant Pb-free0.033 @ VGS = 4.5 V 4.9AvailableAPPLICATIONS0.040 @ VGS = 2.5 V 4.4200.051 @ VGS = 1.8 V 3.9D LI-lon Battery ProtectionDTO-236(SOT-23)G 13 D3 kWGS 2Top ViewSi2314EDS (C4)*S

 ..2. Size:1833K  kexin
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SI2314EDS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2314EDS (KI2314EDS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1 Features+0.10.4-0.1 VDS (V) = 20V3 ID = 4.9 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V)1 2D+0.1+0.05 RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V)0.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9-0.1G 13 k1.GateG3 D2.Source3.Drai

 ..3. Size:907K  cn vbsemi
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SI2314EDS

SI2314EDSwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Conv

 0.1. Size:1833K  kexin
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SI2314EDS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2314EDS (KI2314EDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.1 Features 0.4-0.13 VDS (V) = 20V ID = 4.9 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)1 2 RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V) D+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V) +0.11.9 -0.23 kGG 11. Gate2. Source3 D3.

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME2306BS-G | NVD14N03R

 

 
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