SI2314EDS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI2314EDS
Маркировка: C4*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SI2314EDS Datasheet (PDF)
si2314eds.pdf
Si2314EDSVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D ESD Protected: 3000 VD RoHS Compliant Pb-free0.033 @ VGS = 4.5 V 4.9AvailableAPPLICATIONS0.040 @ VGS = 2.5 V 4.4200.051 @ VGS = 1.8 V 3.9D LI-lon Battery ProtectionDTO-236(SOT-23)G 13 D3 kWGS 2Top ViewSi2314EDS (C4)*S
si2314eds.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2314EDS (KI2314EDS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1 Features+0.10.4-0.1 VDS (V) = 20V3 ID = 4.9 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V)1 2D+0.1+0.05 RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V)0.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9-0.1G 13 k1.GateG3 D2.Source3.Drai
si2314eds.pdf
SI2314EDSwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Conv
si2314eds-3.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2314EDS (KI2314EDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.1 Features 0.4-0.13 VDS (V) = 20V ID = 4.9 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)1 2 RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V) D+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V) +0.11.9 -0.23 kGG 11. Gate2. Source3 D3.
si2314ed.pdf
Si2314EDSVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.033 at VGS = 4.5 V 4.9 TrenchFET Power MOSFET0.040 at VGS = 2.5 V 20 4.4 ESD Protected: 3000 V0.051 at VGS = 1.8 V 3.9APPLICATIONS LI-lon Battery ProtectionTO-236D(SOT-23)G 13 D3
si2314.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd Si2314N-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.033 @ VGS = 4.5 V 4.90.040 @ VGS = 2.5 V 4.4200.051 @ VGS = 1.8 V 3.9(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2314 (AEXT)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 20V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
