IRF722 Todos los transistores

 

IRF722 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF722

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de IRF722 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRF722 datasheet

 ..1. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF722

 0.1. Size:183K  international rectifier
 irf7220gpbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD -96258 IRF7220GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D l Halogen-Free RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resi

 0.2. Size:155K  international rectifier
 irf7220pbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD - 95172 IRF7220PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silic

 0.3. Size:81K  international rectifier
 irf7220.pdf pdf_icon

IRF722

PD- 91850C IRF7220 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefi

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF7201 , IRF7204 , IRF7205 , IRF7207 , IRF720A , IRF720FI , IRF720S , IRF721 , AO4407A , IRF7220 , IRF723 , IRF7233 , IRF730 , IRF730A , IRF730AL , IRF730AS , IRF730FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.