IRF722 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF722  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF722

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF722 даташит

 ..1. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF722

 0.1. Size:183K  international rectifier
 irf7220gpbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD -96258 IRF7220GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D l Halogen-Free RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resi

 0.2. Size:155K  international rectifier
 irf7220pbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD - 95172 IRF7220PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silic

 0.3. Size:81K  international rectifier
 irf7220.pdf pdf_icon

IRF722

PD- 91850C IRF7220 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7201, IRF7204, IRF7205, IRF7207, IRF720A, IRF720FI, IRF720S, IRF721, IRF830, IRF7220, IRF723, IRF7233, IRF730, IRF730A, IRF730AL, IRF730AS, IRF730FI