Справочник MOSFET. IRF722

 

IRF722 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF722
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF722

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF722 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF722

 0.1. Size:183K  international rectifier
 irf7220gpbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD -96258IRF7220GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -14V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Lead-Free4 5G Dl Halogen-FreeRDS(on) = 0.012Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques toachieve the extremely low on-resi

 0.2. Size:155K  international rectifier
 irf7220pbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD - 95172IRF7220PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -14V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Lead-Free4 5G DRDS(on) = 0.012Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silic

 0.3. Size:81K  international rectifier
 irf7220.pdf pdf_icon

IRF722

PD- 91850CIRF7220HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 8S D P-Channel MOSFETVDSS = -14V2 7 Surface MountS D Available in Tape & Reel3 6S D4 5G DRDS(on) = 0.012Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This benefi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7201 , IRF7204 , IRF7205 , IRF7207 , IRF720A , IRF720FI , IRF720S , IRF721 , AO3407 , IRF7220 , IRF723 , IRF7233 , IRF730 , IRF730A , IRF730AL , IRF730AS , IRF730FI .

 

 
Back to Top

 


 
.