IRF722 - описание и поиск аналогов

 

IRF722 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF722
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF722

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF722 технические параметры

 ..1. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF722

 0.1. Size:183K  international rectifier
 irf7220gpbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD -96258 IRF7220GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D l Halogen-Free RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resi

 0.2. Size:155K  international rectifier
 irf7220pbf.pdf pdf_icon

IRF722

PD - 95172 IRF7220PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silic

 0.3. Size:81K  international rectifier
 irf7220.pdf pdf_icon

IRF722

PD- 91850C IRF7220 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -14V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.012 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7201 , IRF7204 , IRF7205 , IRF7207 , IRF720A , IRF720FI , IRF720S , IRF721 , AO4407A , IRF7220 , IRF723 , IRF7233 , IRF730 , IRF730A , IRF730AL , IRF730AS , IRF730FI .

 

 
Back to Top

 


 
.