IRF723 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF723
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 max pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO220
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IRF723 datasheet
irf7233.pdf
PD- 91849D IRF7233 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.020 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit p
irf7233pbf.pdf
PD - 95939 IRF7233PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.020 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a
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History: IRF720A | IRF730AL | IRF722
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