IRF723 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF723  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF723

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF723 даташит

 0.1. Size:92K  international rectifier
 irf7233.pdf pdf_icon

IRF723

PD- 91849D IRF7233 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.020 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit p

 0.2. Size:161K  international rectifier
 irf7233pbf.pdf pdf_icon

IRF723

PD - 95939 IRF7233PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.020 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

 0.3. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF723

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7205, IRF7207, IRF720A, IRF720FI, IRF720S, IRF721, IRF722, IRF7220, IRFP064N, IRF7233, IRF730, IRF730A, IRF730AL, IRF730AS, IRF730FI, IRF730S, IRF731