Справочник MOSFET. IRF723

 

IRF723 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF723

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 350 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IRF723

 

 

IRF723 Datasheet (PDF)

1.1. irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf Size:476K _st

IRF723
IRF723



1.2. irf7233pbf.pdf Size:161K _international_rectifier

IRF723
IRF723

PD - 95939 IRF7233PbF HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.020Ω Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

 1.3. irf7233.pdf Size:92K _international_rectifier

IRF723
IRF723

PD- 91849D IRF7233 HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.020Ω Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit p

Другие MOSFET... IRF7205 , IRF7207 , IRF720A , IRF720FI , IRF720S , IRF721 , IRF722 , IRF7220 , 2SK1058 , IRF7233 , IRF730 , IRF730A , IRF730AL , IRF730AS , IRF730FI , IRF730S , IRF731 .

 

 
Back to Top