Справочник MOSFET. IRF723

 

IRF723 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF723
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF723

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF723 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:92K  international rectifier
 irf7233.pdf pdf_icon

IRF723

PD- 91849DIRF7233HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 8S D P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7 Surface MountS D Available in Tape & Reel3 6S D4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefitp

 0.2. Size:161K  international rectifier
 irf7233pbf.pdf pdf_icon

IRF723

PD - 95939IRF7233PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Lead-Free4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 0.3. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF723

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7205 , IRF7207 , IRF720A , IRF720FI , IRF720S , IRF721 , IRF722 , IRF7220 , 5N50 , IRF7233 , IRF730 , IRF730A , IRF730AL , IRF730AS , IRF730FI , IRF730S , IRF731 .

 

 
Back to Top

 


 
.