SM4850NSK MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SM4850NSK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4850NSK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.92 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SM4850NSK datasheet

..1. Size:267K sino
sm4850nsk.pdf pdf_icon

SM4850NSK N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D 30V/8A, D D RDS(ON)= 20m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 28m (max.) @ VGS= 4.5V S Reliable and Rugged S S G Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8 (RoHS Compliant) 100% UIS Tested ( 5,6,7,8 ) D D D D (4) Applications G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipmen

8.1. Size:872K globaltech semi
gsm4850ws.pdf pdf_icon

GSM4850WS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4850WS, N-Channel enhancement mode 60V/8.5A,RDS(ON)=22m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/7.2A,RDS(ON)=24m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

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