Справочник MOSFET. SM4850NSK

 

SM4850NSK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4850NSK
   Маркировка: 4850
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4850NSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  sino
 sm4850nsk.pdf pdf_icon

SM4850NSK

SM4850NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/8A,DD RDS(ON)= 20m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 28m (max.) @ VGS= 4.5VS Reliable and RuggedSSG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8 (RoHS Compliant) 100% UIS Tested( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen

 8.1. Size:872K  globaltech semi
 gsm4850ws.pdf pdf_icon

SM4850NSK

GSM4850WS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4850WS, N-Channel enhancement mode 60V/8.5A,RDS(ON)=22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/7.2A,RDS(ON)=24m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MC08N005S | SPN3400S23RG

 

 
Back to Top

 


 
.