SM4850NSK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM4850NSK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SM4850NSK
SM4850NSK Datasheet (PDF)
sm4850nsk.pdf
SM4850NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/8A,DD RDS(ON)= 20m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 28m (max.) @ VGS= 4.5VS Reliable and RuggedSSG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8 (RoHS Compliant) 100% UIS Tested( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen
gsm4850ws.pdf
GSM4850WS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4850WS, N-Channel enhancement mode 60V/8.5A,RDS(ON)=22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/7.2A,RDS(ON)=24m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
Другие MOSFET... SM4832NSK , SM4834NSK , SM4836NSK , SM4838NSK , SM4839NSK , SM4842NSK , SM4843NSK , SM4844NHK , 8N60 , SM6002NAF , SM6009NSF , SM6012NSK , SM6130NSUB , SM6A10NSU , SM6A17NSFP , SM6A22NSF , SM6A22NSFP .
History: SM4834NSK | SM6009NSF
History: SM4834NSK | SM6009NSF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor




