SM4850NSK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM4850NSK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SM4850NSK Datasheet (PDF)
sm4850nsk.pdf
SM4850NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/8A,DD RDS(ON)= 20m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 28m (max.) @ VGS= 4.5VS Reliable and RuggedSSG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8 (RoHS Compliant) 100% UIS Tested( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen
gsm4850ws.pdf
GSM4850WS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4850WS, N-Channel enhancement mode 60V/8.5A,RDS(ON)=22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/7.2A,RDS(ON)=24m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SIHF9640 | NCE0104S | SIHFP23N50L | SI7344DP | 2SK3447
History: SIHF9640 | NCE0104S | SIHFP23N50L | SI7344DP | 2SK3447
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918