SM4850NSK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM4850NSK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SM4850NSK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4850NSK даташит

 ..1. Size:267K  sino
 sm4850nsk.pdf pdf_icon

SM4850NSK

SM4850NSK N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D 30V/8A, D D RDS(ON)= 20m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 28m (max.) @ VGS= 4.5V S Reliable and Rugged S S G Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8 (RoHS Compliant) 100% UIS Tested ( 5,6,7,8 ) D D D D (4) Applications G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipmen

 8.1. Size:872K  globaltech semi
 gsm4850ws.pdf pdf_icon

SM4850NSK

GSM4850WS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4850WS, N-Channel enhancement mode 60V/8.5A,RDS(ON)=22m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/7.2A,RDS(ON)=24m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие IGBT... SM4832NSK, SM4834NSK, SM4836NSK, SM4838NSK, SM4839NSK, SM4842NSK, SM4843NSK, SM4844NHK, 8N60, SM6002NAF, SM6009NSF, SM6012NSK, SM6130NSUB, SM6A10NSU, SM6A17NSFP, SM6A22NSF, SM6A22NSFP