SM4850NSK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM4850NSK
Маркировка: 4850
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.92 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.8 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SM4850NSK Datasheet (PDF)
sm4850nsk.pdf
SM4850NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/8A,DD RDS(ON)= 20m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 28m (max.) @ VGS= 4.5VS Reliable and RuggedSSG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8 (RoHS Compliant) 100% UIS Tested( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen
gsm4850ws.pdf
GSM4850WS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4850WS, N-Channel enhancement mode 60V/8.5A,RDS(ON)=22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/7.2A,RDS(ON)=24m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
