SM2308NSA MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SM2308NSA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2308NSA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SM2308NSA datasheet

..1. Size:262K sino
sm2308nsa.pdf pdf_icon

SM2308NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/5.2A , D RDS(ON)= 35m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)= 45m (max.) @ VGS=4.5V G 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged Top View of SOT-23 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D ESD Protection G Applications Load Switch. DC-DC converter. S Power Management Function. N-Channel

8.1. Size:370K taiwansemi
tsm2308cx.pdf pdf_icon

TSM2308 60V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Drain 156 @ VGS = 10V 3 60 192 @ VGS = 4.5V 2.1 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Power System Load Switch Ordering Information

8.2. Size:813K globaltech semi
gsm2308a.pdf pdf_icon

GSM2308A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2308A, N-Channel enhancement mode 60V/2.8A,RDS(ON)=135m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/2.0A,RDS(ON)=145m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

8.3. Size:760K globaltech semi
gsm2308.pdf pdf_icon

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