Справочник MOSFET. SM2308NSA

 

SM2308NSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM2308NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SM2308NSA

 

 

SM2308NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  sino
 sm2308nsa.pdf

SM2308NSA SM2308NSA

SM2308NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/5.2A ,D RDS(ON)= 35m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)= 45m (max.) @ VGS=4.5VG 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedTop View of SOT-23 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) D ESD ProtectionGApplications Load Switch. DC-DC converter.S Power Management Function.N-Channel

 8.1. Size:370K  taiwansemi
 tsm2308cx.pdf

SM2308NSA SM2308NSA

TSM2308 60V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Drain 156 @ VGS = 10V 3 60 192 @ VGS = 4.5V 2.1 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Power System Load Switch Ordering Information

 8.2. Size:813K  globaltech semi
 gsm2308a.pdf

SM2308NSA SM2308NSA

GSM2308A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2308A, N-Channel enhancement mode 60V/2.8A,RDS(ON)=135m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/2.0A,RDS(ON)=145m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.3. Size:760K  globaltech semi
 gsm2308.pdf

SM2308NSA SM2308NSA

GSM2308 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2308, N-Channel enhancement mode 60V/3.6A,RDS(ON)=130m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/2.8A,RDS(ON)=140m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top