SM4391NSKP Todos los transistores

 

SM4391NSKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM4391NSKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 124.99 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00125 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM4391NSKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  sino
 sm4391nskp.pdf pdf_icon

SM4391NSKP

SM4391NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/100A, DDDRDS(ON)= 1.25m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 1.7m (max.) @ VGS=4.5VGS Pin 1 Reliable and RuggedSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant)(5,6,7,8)DDDD 100% UIS TestedApplications(4) G OR-ing Synchronous Rectifier for Server Battery Charger and

 9.1. Size:203K  taiwansemi
 tsm4392cs.pdf pdf_icon

SM4391NSKP

Preliminary TSM4392 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 11.5 @ VGS = 10V 12.5 4. Gate 30 16.5 @ VGS = 4.5V 10 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application High-Side DC/

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CEM9936A | LSH65R1K5HT

 

 
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